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Queste sono classi pronte all'uso, la prima è di tipo rate-codec, le altre spiking

LeakyIntegrator, Izhikevich, IF_curr_exp, IF_cond_exp, IF_curr_alpha, IF_cond_alpha, HH_cond_exp, EIF_cond_alpha_isfa_ista, EIF_cond_exp_isfa_ista

Izhikevich

param default descrizione
a 0.2 velocità della variabile di recupero
b 0.2 Scala della variabile di recupero
c -65.0 Potenziale dopo reset
d 2.0 Incremento della variabile di recupero dopo impulso
v_thresh 30.0 soglia emissione impulso (mV)
i_offset 0.0 corrente esterna aggiunta (nA)
noise 0.0 Ampiezza del rumore gaussiano additivo (distribuzione normale)
tau_refrac 0.0 durata del periodo refrattario (ms)
conductance 'g_exc-g_inh' equazione di variazione di conduttanza
var descrizione valore predefinito
I corrente in ingresso conductance + i_offset + noise * Normal(0.0, 1.0)
v potenziale di membrana (mV) dv/dt = 0.04 * v^2 + 5.0 * v + 140.0 - u + I : init = c
u variabile di recupero du/dt = a * (b * v - u) : init= b * c
spike condizione
v > v_thresh
reset valore
v = c
u += d

IF_curr_exp

Leaky integrate-and-fire

con soglia fissa e decadimento di corrente post-sinaptica di tipo esponenziale. (Correnti per sinapsi eccitatorie ed inibitorie separate)

param default descrizione
v_rest -65.0 potenziale di riposo di membrana (mV)
cm 1.0 Capacità di membrana (nF)
tau_m 20.0 Tempo di membrana
tau_refrac 0.0 Incremento della variabile di recupero dopo impulso
tau_syn_E 5.0 Tempo decadimento per corrente sinapsi eccitatoria (ms)
tau_syn_I 5.0 Tempo decadimento per corrente sinapsi eccitatoria (ms)
i_offset 0.0 corrente esterna aggiunta (nA)
v_reset -65.0 soglia di reset (mV)
v_thresh -50.0 soglia emissione impulso (mV)
var descrizione valore predefinito
v potenziale di membrana in mV cm * dv/dt = cm/tau_m*(v_rest -v) + g_exc - g_inh + i_offset : init=-65.0
g_exc corrente sinapsi eccitatoria tau_syn_E * dg_exc/dt = - g_exc : init = 0.0
g_inh conduttanza? sinapsi inibitoria tau_syn_I * dg_inh/dt = - g_inh : init = 0.0
spike condizione
v > v_thresh
reset valore
v = v_reset

IF_cond_exp

Leaky integrate-and-fire

Con soglia fissa e decadimento di conduttanza post-sinaptica di tipo esponenziale.

param default descrizione
v_rest -65.0 potenziale di riposo di membrana (mV)
cm 1.0 Capacità di membrana (nF)
tau_m 20.0 Tempo di membrana
tau_refrac 0.0 Incremento della variabile di recupero dopo impulso
tau_syn_E 5.0 Tempo decadimento per corrente sinapsi eccitatoria (ms)
tau_syn_I 5.0 Tempo decadimento per corrente sinapsi eccitatoria (ms)
e_rev_E 0.0 potenziale inverso per input eccitatorio (mV)
e_rev_I -70.0 potenziale inverso per input eccitatorio (mV)
i_offset 0.0 corrente esterna aggiunta (nA)
v_reset -65.0 soglia di reset (mV)
v_thresh -50.0 soglia emissione impulso (mV)
var descrizione valore predefinito
v potenziale di membrana in mV cm * dv/dt = cm/tau_m*(v_rest -v) + g_exc * (e_rev_E - v) + g_inh * (e_rev_I - v) + i_offset : init=-65.0
g_exc corrente sinapsi eccitatoria tau_syn_E * dg_exc/dt = - g_exc : init = 0.0
g_inh conduttanza? sinapsi inibitoria tau_syn_I * dg_inh/dt = - g_inh : init = 0.0
spike condizione
v > v_thresh
reset valore
v = v_reset

IF_curr_alpha

Leaky integrate-and-fire

con soglia fissa e correnti post-sinaptiche di tipo alpha. (Correnti per sinapsi eccitatorie ed inibitorie separate) Le correnti alpha sono calcolato attraverso un sistema di due Eq. Diffenrenziali lineari. Dopo aver ricevuto un impulso all'istante t_spike, c'è un picco a t_spike + tau_syn_X, con massimo pari all'efficienza sinaptica (w)

var descrizione valore
v membrane potential in mV cm * dv/dt = cm/tau_m*(v_rest -v) + alpha_exc - alpha_inh + i_offset : init=-65.0
g_exc excitatory current tau_syn_E * dg_exc/dt = - g_exc : init = 0.0
alpha_exc alpha function of excitatory current tau_syn_E * dalpha_exc/dt = exp((tau_syn_E - dt/2.0)/tau_syn_E) * g_exc - alpha_exc : init = 0.0
g_inh inhibitory current tau_syn_I * dg_inh/dt = - g_inh : init = 0.0
alpha_inh alpha function of inhibitory current tau_syn_I * dalpha_inh/dt = exp((tau_syn_I - dt/2.0)/tau_syn_I) * g_inh - alpha_inh : init = 0.0

IF_cond_alpha

HH_cond_exp

Single-compartment Hodgkin-Huxley-type neuron

con transitorio di sodio e rettificatore ritardato di corrente di potassio, che usa il canale a ioni dei modelli di Traub

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  • Last modified: 2018/04/25 07:55
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